供应tsop48 nand flash芯片烧录座-TSOP48 BGA LGA nand flash

NAND Flash烧录器

NAND Flash烧录器产品简介

　　一、功能 
　　该款烧录器支持16MByte（128Mbit）到8GByte（64Gbit）的NAND Flash的**烧录，适合具有预装资料的GPS导航仪，MP4，PDA，学习机，数码相框，硬盘播放机，高清机顶盒，游戏机，电子书，点读机，语音地图机，监控类等产品在大规模生产中使用，加密CF卡，加密U盘，加密SD卡等存储工具的Flash原始数据复制（直接PC端复制不可用），它具有如下特征： 
　　 
　　1.采用一托四的结构设计，可以对四片NAND Flash同时进行烧录，烧录过程实时校验，****数据的正确； 
　　2.烧录速度接近NAND Flash的速度极限，512Mbit小页面Flash速度约1.8MByte/秒（带校验），8Gbit大页面SLC架构Flash编程速度约3MByte/秒（带校验），8Gbit大页面MLC架构Flash编程速度约2.5MByte/秒（带校验）。 
　　3.标配4.3寸**大真彩液晶屏，一切操作可视化，触摸屏及按键双输入方式，*连接电脑，方便用户实时观察烧录过程； 
　　 
　　4.支持以文件方式烧写和母片拷贝两种烧录方式： 
　　（1）母片拷贝方式：用于将用户原始Flash上的内容拷贝到板载Flash，之后再将板载Flash上相应的内容写入空的Flash； 
　　（2）文件方式烧写：用户可将*文件置于U盘或编程器内置硬盘，本方式读出文件内容按*方式（可支持特殊文件系统）写入Flash； 
　　 
　　5.可灵活配置多种参数，如页读取、页、块内容比较、生成文件、坏块扫描、擦除、扫描有数据区间等等多种操作： 
　　（1）对母片拷贝方式，可设置特殊坏块标记，方便适应不同的用户不同的坏块管理方式。且可设置拷贝区间，用户可选择拷贝有效数据区域，这样在之后烧写空片时可降低单位Flash的烧写时间； 
　　（2）可读取*Flash任意页的内容显示，方便用户实时观察Flash上的数据分布； 
　　（3）可独立擦除*的Flash，可独立扫描*Flash的坏块，并形成详细坏块分布信息显示于屏幕； 
　　（4）可扫描Flash上的空白页或空白块，方便用户了解原始Flash上的空间使用情况； 
　　（5）可比较两个Flash之间不同块或不同页的内容，并将不同之处显示于屏幕，并可顺序浏览每一处不同； 
　　 
　　6.可根据用户的特殊要求修改软件，按你的特殊要求量身定做，修改周期不**过3个工作日，且可定制特殊的文件系统； 
　　7.支持带操作系统的NAND Flash数据烧写，如WINCE操作系统的XIP／BINFS情况下Flash分区的坏块管理，解决了目前市面上的编程器在NAND Flash上的文件系统分区区域内出现坏块单纯跳过而造成的操作系统无法正确运行或文件无法正常读写的问题。 
　　 
　　二、支持的Flash列表（TSOP、8BIT、3.3V） 
　　1，三星 
　　K9F2808U0＊、K9F1208U0＊、K9F5608U0＊、K9F1G08U0＊、K9F2G08U0＊、K9F4G08U0＊、K9F8G08、K9WAG08、K9F5608U0＊、K9F1208U0＊、K9F1G08U0＊、K9F6408U0＊、K9K1208U0＊、K9K1G08U0＊、K9K2G08U0＊、K9K4G08U0＊、K9K8G08U0＊、K9G8G08＊、K9GAG08U0＊、K9LAG08U0＊、K9W8G08U0＊、K9LBG08U0＊、K9HCG08U0＊。 
　　 
　　2，现代 
　　HY27US08561M、HY27US08121M、HY27UA081G1M、HY27UF081G1M、HY27UVB082G2M、HY27UVB082G4M、HY27US08281M／1G2M／2G2M／4G2M／4G1M／2G1M、HY27UVB081G2M、HY27UVB084G2M、HY27UVB084G1M HY27UVB082G1M、HY27UF081G2M、HY27VB082G4M、HY27UA081G1M、HY27UU088G5M、HY27UT084G2M HY27UF084G2M、HY27UF082G2M.